NTMS4807NR2G 価格設定（USD） [233750個在庫]
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- 品番:
- NTMS4807NR2G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in ON Semiconductor NTMS4807NR2G electronic components. NTMS4807NR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMS4807NR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMS4807NR2G 製品の属性
品番 :
NTMS4807NR2G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.1 mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2900pF @ 24V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
860mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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