ON Semiconductor - NSVMMUN2137LT1G

KEY Part #: K6525597

NSVMMUN2137LT1G 価格設定(USD) [1557132個在庫]

  • 1 pcs$0.02375
  • 12,000 pcs$0.02019

品番:
NSVMMUN2137LT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NSVMMUN2137LT1G electronic components. NSVMMUN2137LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVMMUN2137LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVMMUN2137LT1G 製品の属性

品番 : NSVMMUN2137LT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : NPN - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 47 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 22 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA
頻度-遷移 : -
パワー-最大 : 246mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3 (TO-236)

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N6028G

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6027G

    ON Semiconductor

    TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6028RLRMG

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6028RLRPG

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6027RL1G

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6028RLRP

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.