Rohm Semiconductor - DTB743ZMT2L

KEY Part #: K6528481

DTB743ZMT2L 価格設定(USD) [973877個在庫]

  • 1 pcs$0.03817
  • 8,000 pcs$0.03798

品番:
DTB743ZMT2L
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor DTB743ZMT2L electronic components. DTB743ZMT2L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DTB743ZMT2L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DTB743ZMT2L 製品の属性

品番 : DTB743ZMT2L
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
トランジスタータイプ : PNP - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 200mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 30V
抵抗-ベース(R1) : 4.7 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA
頻度-遷移 : 260MHz
パワー-最大 : 150mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-723
サプライヤーデバイスパッケージ : VMT3

あなたも興味があるかもしれません
  • BCR533E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3.

  • UNR221M00L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3.

  • BCR148E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3.

  • UNR221E00L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3.

  • BCR133E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.

  • BCR505E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3.