BSC883N03LSGATMA1 価格設定（USD） [279894個在庫]
- 1 pcs$0.14166
- 5,000 pcs$0.14096
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSC883N03LSGATMA1 electronic components. BSC883N03LSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC883N03LSGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC883N03LSGATMA1 製品の属性
品番 :
BSC883N03LSGATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
34V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
17A (Ta), 98A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2800pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 57W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PHD66NQ03LT,118
- BSC079N03SG
- AO4443L
- FQPF10N60C_F105
- NDD60N745U1T4G
- SIRA34DP-T1-GE3
- JANTXV2N6764T1
- RJK6013DPE-00#J3
- SUP70N03-09BP-E3
- AON7432
- SUP45N03-13L-E3
- IPD60R450E6BTMA1
- IPB80N04S2L03ATMA1
- IRLR8503TRLPBF
- IRFR3710ZTRRPBF
- IXFX180N085
- SPD08P06P
- IRLM110ATF
- IRF644NPBF
- IRFC4227EB
- FDMC0310AS-F127
- BSC205N10LS G
- IRLZ44ZL
- IXTP76N075T
- IPW65R080CFDFKSA1
- IRF3315STRR
- IRL630S
- BUK95150-55A,127
- IRF640
- SIHB21N65EF-GE3
- IPP076N15N5AKSA1
- IPP60R280P7XKSA1
- SIE810DF-T1-E3
- IRF100S201
- IPI072N10N3GXKSA1
- NVMFS5C406NT1G
- IPB80N04S304ATMA1
- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3