IPB180N04S4L01ATMA1 価格設定（USD） [68107個在庫]
- 1 pcs$0.57411
- 1,000 pcs$0.52669
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH TO263-7.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB180N04S4L01ATMA1 electronic components. IPB180N04S4L01ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB180N04S4L01ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB180N04S4L01ATMA1 製品の属性
品番 :
IPB180N04S4L01ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH TO263-7
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
180A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 140µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
245nC @ 10V
Vgs（最大） :
+20V, -16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
19100pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
188W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PHD66NQ03LT,118
- BSC079N03SG
- AO4443L
- FQPF10N60C_F105
- NDD60N745U1T4G
- SIRA34DP-T1-GE3
- JANTXV2N6764T1
- RJK6013DPE-00#J3
- SUP70N03-09BP-E3
- AON7432
- SUP45N03-13L-E3
- IPD60R450E6BTMA1
- IPB80N04S2L03ATMA1
- IRLR8503TRLPBF
- IRFR3710ZTRRPBF
- IXFX180N085
- SPD08P06P
- IRLM110ATF
- IRF644NPBF
- IRFC4227EB
- FDMC0310AS-F127
- BSC205N10LS G
- IRLZ44ZL
- IXTP76N075T
- IPW65R080CFDFKSA1
- IRF3315STRR
- IRL630S
- BUK95150-55A,127
- IRF640
- SIHB21N65EF-GE3
- IPP076N15N5AKSA1
- IPP60R280P7XKSA1
- SIE810DF-T1-E3
- IRF100S201
- IPI072N10N3GXKSA1
- NVMFS5C406NT1G
- IPB80N04S304ATMA1
- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3