Microsemi Corporation - APTGT200H120G

KEY Part #: K6533143

APTGT200H120G 価格設定(USD) [549個在庫]

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  • 100 pcs$81.41536

品番:
APTGT200H120G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200H120G 製品の属性

品番 : APTGT200H120G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Full Bridge Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 280A
パワー-最大 : 890W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 350µA
入力容量(Cies)@ Vce : 14nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP6
サプライヤーデバイスパッケージ : SP6

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