Infineon Technologies - IRL3303D1

KEY Part #: K6414045

[12890個在庫]


    品番:
    IRL3303D1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRL3303D1 electronic components. IRL3303D1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL3303D1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRL3303D1 製品の属性

    品番 : IRL3303D1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 38A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 26 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 26nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±16V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 870pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 68W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5803TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5802

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP.

    • IRLR2705TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

    • IRLR2703TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

    • IRFR5410TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.

    • IRFR9N20DTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK.