STMicroelectronics - STGD6M65DF2

KEY Part #: K6424956

STGD6M65DF2 価格設定(USD) [165699個在庫]

  • 1 pcs$0.22322
  • 2,500 pcs$0.19767
  • 5,000 pcs$0.18826

品番:
STGD6M65DF2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STGD6M65DF2 electronic components. STGD6M65DF2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGD6M65DF2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGD6M65DF2 製品の属性

品番 : STGD6M65DF2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
シリーズ : M
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 12A
電流-パルスコレクター(Icm) : 24A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2V @ 15V, 6A
パワー-最大 : 88W
スイッチングエネルギー : 36µJ (on), 200µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 21.2nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 15ns/90ns
試験条件 : 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 140ns
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK