IPC60R3K3C6X1SA1 価格設定（USD） [433209個在庫]
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- 品番:
- IPC60R3K3C6X1SA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH BARE DIE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPC60R3K3C6X1SA1 electronic components. IPC60R3K3C6X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC60R3K3C6X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPC60R3K3C6X1SA1 製品の属性
品番 :
IPC60R3K3C6X1SA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH BARE DIE
シリーズ :
*
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
-
技術 :
-
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
-
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-
取付タイプ :
-
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
パッケージ/ケース :
-
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