メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER
ダイオード構成 :
1 Pair Common Anode
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) :
200A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If :
1.3V @ 200A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
サプライヤーデバイスパッケージ :
Three Tower