GeneSiC Semiconductor - MURTA40020R

KEY Part #: K6468481

MURTA40020R 価格設定(USD) [768個在庫]

  • 1 pcs$60.52443
  • 18 pcs$36.55488

品番:
MURTA40020R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER. Rectifiers 200V 400A Si Super Fast Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA40020R electronic components. MURTA40020R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA40020R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA40020R 製品の属性

品番 : MURTA40020R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 200A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 200V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
あなたも興味があるかもしれません
  • 2N5246

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 7MA TO92.

  • 2N5953

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 5MA TO92.

  • BF245C_D26Z

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 25MA TO92.

  • LQA10N150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • ATF-34143-TR1

    Broadcom Limited

    FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343.

  • BF1212WR,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.