GeneSiC Semiconductor - MURTA40020R

KEY Part #: K6468481

MURTA40020R 価格設定(USD) [768個在庫]

  • 1 pcs$60.52443
  • 18 pcs$36.55488

品番:
MURTA40020R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER. Rectifiers 200V 400A Si Super Fast Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA40020R electronic components. MURTA40020R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA40020R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA40020R 製品の属性

品番 : MURTA40020R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 200A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 200V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
あなたも興味があるかもしれません
  • 2N5246

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 7MA TO92.

  • 2N5953

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 5MA TO92.

  • BF245C_D26Z

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 25MA TO92.

  • LQA10N150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • ATF-34143-TR1

    Broadcom Limited

    FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343.

  • BF1212WR,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.