Infineon Technologies - IRL1004L

KEY Part #: K6414574

[12707個在庫]


    品番:
    IRL1004L
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 40V 130A TO-262.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRL1004L electronic components. IRL1004L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL1004L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRL1004L 製品の属性

    品番 : IRL1004L
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 130A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.5 mOhm @ 78A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 100nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±16V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5330pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 200W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-262
    パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    あなたも興味があるかもしれません
    • 94-2335

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

    • IRLR8503

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

    • IRFI9634G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP.

    • IRFI9640G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP.

    • IRLIZ34G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP.

    • IRFIBC40GLC

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP.