GeneSiC Semiconductor - 1N3879

KEY Part #: K6442659

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3879 electronic components. 1N3879 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3879, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : 1N3879

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE GEN PURP 50V 6A DO4

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V

電流-平均整流（Io） : 6A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.4V @ 6A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 200ns

電流-Vrでの逆漏れ : 15µA @ 50V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Chassis, Stud Mount

パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud

サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

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