SSM6J507NU,LF 価格設定（USD） [603363個在庫]
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- 品番:
- SSM6J507NU,LF
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU,LF electronic components. SSM6J507NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J507NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6J507NU,LF 製品の属性
品番 :
SSM6J507NU,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
シリーズ :
U-MOSVI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
20 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20.4nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
+20V, -25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1150pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.25W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-UDFNB (2x2)
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
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