HN1B01FU-GR,LF 価格設定（USD） [1548880個在庫]
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- 品番:
- HN1B01FU-GR,LF
- 詳細な説明:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-GR,LF electronic components. HN1B01FU-GR,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1B01FU-GR,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN1B01FU-GR,LF 製品の属性
品番 :
HN1B01FU-GR,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
NPN, PNP
電流-コレクター（Ic）（最大） :
150mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 10mA, 100mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
200 @ 2mA, 6V
パワー-最大 :
200mW, 210mW
頻度-遷移 :
150MHz
動作温度 :
125°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
US6
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