HN1B01FU-GR,LF 価格設定（USD） [1548880個在庫]
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- 品番:
- HN1B01FU-GR,LF
- 詳細な説明:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-GR,LF electronic components. HN1B01FU-GR,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1B01FU-GR,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN1B01FU-GR,LF 製品の属性
品番 :
HN1B01FU-GR,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
NPN, PNP
電流-コレクター（Ic）（最大） :
150mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 10mA, 100mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
200 @ 2mA, 6V
パワー-最大 :
200mW, 210mW
頻度-遷移 :
150MHz
動作温度 :
125°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
US6
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