[2496個在庫]
- 品番:
- SIHB30N60E-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHB30N60E-E3 electronic components. SIHB30N60E-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB30N60E-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHB30N60E-E3 製品の属性
品番 :
SIHB30N60E-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
29A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2600pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
250W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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