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Microsemi Corporation - JANTXV1N5622

KEY Part #: K6433686

JANTXV1N5622 価格設定（USD） [7092個在庫]

  • 1 pcs$5.80998
  • 153 pcs$5.39791
品番:
JANTXV1N5622
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL. Zener Diodes D MET 1A STD 1KV HRV
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5622 electronic components. JANTXV1N5622 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5622, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5622 製品の属性

品番 : JANTXV1N5622
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/427
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1000V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.3V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 2µs
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C

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