ON Semiconductor - RHRP30120-F102

KEY Part #: K6442541

RHRP30120-F102 価格設定(USD) [35289個在庫]

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品番:
RHRP30120-F102
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220-2. Rectifiers 1200V, 30A HYPERFAST DIODE
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor RHRP30120-F102 electronic components. RHRP30120-F102 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RHRP30120-F102, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RHRP30120-F102 製品の属性

品番 : RHRP30120-F102
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 30A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 3.2V @ 30A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 85ns
電流-Vrでの逆漏れ : 250µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-2
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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