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Microsemi Corporation - JAN1N4150-1

KEY Part #: K6444769

JAN1N4150-1 価格設定（USD） [49745個在庫]

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  • 10 pcs$0.90142
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  • 1,000 pcs$0.46681
品番:
JAN1N4150-1
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4150-1 electronic components. JAN1N4150-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4150-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4150-1 製品の属性

品番 : JAN1N4150-1
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/231
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V
電流-平均整流（Io） : 200mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1V @ 200mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） : 4ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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