Microsemi Corporation - JAN1N4150-1

KEY Part #: K6444769

JAN1N4150-1 価格設定(USD) [49745個在庫]

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品番:
JAN1N4150-1
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4150-1 製品の属性

品番 : JAN1N4150-1
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/231
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 50V
電流-平均整流(Io) : 200mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 200mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : 4ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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