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Microsemi Corporation - 1N6643US

KEY Part #: K6441745

1N6643US 価格設定（USD） [9590個在庫]

  • 1 pcs$4.51277
  • 10 pcs$4.06061
  • 25 pcs$3.69959
  • 100 pcs$3.33866
  • 250 pcs$3.06794
  • 500 pcs$2.79724
品番:
1N6643US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B. Diodes - General Purpose, Power, Switching .3A ULTRA FAST 75V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N6643US electronic components. 1N6643US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6643US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6643US 製品の属性

品番 : 1N6643US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V
電流-平均整流（Io） : 300mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.2V @ 100mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 20ns
電流-Vrでの逆漏れ : 50nA @ 50V
静電容量@ Vr、F : 5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5B
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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