Microsemi Corporation - 1N6628US

KEY Part #: K6435381

1N6628US 価格設定（USD） [4285個在庫]

1 pcs$10.27599
10 pcs$9.34013
25 pcs$8.63962
100 pcs$7.55184
250 pcs$6.88550

品番:: 1N6628US

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF. Rectifiers Rectifier

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

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家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation 1N6628US electronic components. 1N6628US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6628US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

1N6628US 製品の属性

品番 : 1N6628US

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 660V

電流-平均整流（Io） : 1.75A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.35V @ 2A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 30ns

電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 660V

静電容量@ Vr、F : 40pF @ 10V, 1MHz

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : SQ-MELF, A

サプライヤーデバイスパッケージ : A-MELF

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

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