IPP075N15N3GXKSA1 価格設定（USD） [13916個在庫]
- 1 pcs$2.56047
- 10 pcs$2.28591
- 100 pcs$1.87456
- 500 pcs$1.51794
- 1,000 pcs$1.28019
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPP075N15N3GXKSA1 electronic components. IPP075N15N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP075N15N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP075N15N3GXKSA1 製品の属性
品番 :
IPP075N15N3GXKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
8V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 270µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
93nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5470pF @ 75V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PHD66NQ03LT,118
- BSC079N03SG
- AO4443L
- FQPF10N60C_F105
- NDD60N745U1T4G
- SIRA34DP-T1-GE3
- JANTXV2N6764T1
- RJK6013DPE-00#J3
- SUP70N03-09BP-E3
- AON7432
- SUP45N03-13L-E3
- IPD60R450E6BTMA1
- IPB80N04S2L03ATMA1
- IRLR8503TRLPBF
- IRFR3710ZTRRPBF
- IXFX180N085
- SPD08P06P
- IRLM110ATF
- IRF644NPBF
- IRFC4227EB
- FDMC0310AS-F127
- BSC205N10LS G
- IRLZ44ZL
- IXTP76N075T
- IPW65R080CFDFKSA1
- IRF3315STRR
- IRL630S
- BUK95150-55A,127
- IRF640
- SIHB21N65EF-GE3
- IPP076N15N5AKSA1
- IPP60R280P7XKSA1
- SIE810DF-T1-E3
- IRF100S201
- IPI072N10N3GXKSA1
- NVMFS5C406NT1G
- IPB80N04S304ATMA1
- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3