Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41MHE3/96

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GL41MHE3/96 価格設定(USD) [656751個在庫]

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品番:
GL41MHE3/96
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL41MHE3/96 製品の属性

品番 : GL41MHE3/96
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
シリーズ : SUPERECTIFIER®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : 8pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-213AB
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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