JANTXV1N5811URS 価格設定（USD） [3312個在庫]
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- 品番:
- JANTXV1N5811URS
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG. Rectifiers Rectifier
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5811URS electronic components. JANTXV1N5811URS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5811URS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTXV1N5811URS 製品の属性
品番 :
JANTXV1N5811URS
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/477
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
150V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
875mV @ 4A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
30ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 150V
静電容量@ Vr、F :
60pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ :
B, SQ-MELF
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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