GeneSiC Semiconductor - MBR12035CTR

KEY Part #: K6468587

MBR12035CTR 価格設定(USD) [1424個在庫]

  • 1 pcs$30.41954
  • 25 pcs$22.79770

品番:
MBR12035CTR
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 120A Schottky Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR12035CTR 製品の属性

品番 : MBR12035CTR
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 35V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 120A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 650mV @ 120A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 3mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
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