VS-GB100TP120N 価格設定（USD） [881個在庫]
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- 24 pcs$40.67562
- 品番:
- VS-GB100TP120N
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TP120N electronic components. VS-GB100TP120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GB100TP120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-GB100TP120N 製品の属性
品番 :
VS-GB100TP120N
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
200A
パワー-最大 :
650W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.2V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
5mA
入力容量（Cies）@ Vce :
7.43nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
INT-A-Pak
サプライヤーデバイスパッケージ :
INT-A-PAK
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