Infineon Technologies - AUIRF3205Z

KEY Part #: K6403019

AUIRF3205Z 価格設定(USD) [30561個在庫]

  • 1 pcs$1.23396
  • 10 pcs$1.05821
  • 100 pcs$0.85050
  • 500 pcs$0.66150
  • 1,000 pcs$0.54810

品番:
AUIRF3205Z
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies AUIRF3205Z electronic components. AUIRF3205Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF3205Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF3205Z 製品の属性

品番 : AUIRF3205Z
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 75A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.5 mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3450pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 170W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3