SUD09P10-195-GE3 価格設定（USD） [228100個在庫]
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- 品番:
- SUD09P10-195-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SUD09P10-195-GE3 electronic components. SUD09P10-195-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD09P10-195-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SUD09P10-195-GE3 製品の属性
品番 :
SUD09P10-195-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8.8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
195 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
34.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1055pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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