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- 品番:
- APT1002RBNG
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APT1002RBNG electronic components. APT1002RBNG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT1002RBNG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT1002RBNG 製品の属性
品番 :
APT1002RBNG
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
シリーズ :
POWER MOS IV®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.6 Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1800pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
240W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247AD
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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