IXYS - IXFT30N50

KEY Part #: K6412168

IXFT30N50 価格設定(USD) [8730個在庫]

  • 1 pcs$5.45583
  • 30 pcs$5.42869

品番:
IXFT30N50
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFT30N50 electronic components. IXFT30N50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT30N50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT30N50 製品の属性

品番 : IXFT30N50
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 160 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5700pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 360W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7000,126

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92.

  • IRFR3412PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.

  • IRFR15N20DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.

  • IRFR3505PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRFR3411PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.

  • IRLR3915PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.