GeneSiC Semiconductor - MUR20010CTR

KEY Part #: K6468535

MUR20010CTR 価格設定(USD) [1194個在庫]

  • 1 pcs$36.26045
  • 25 pcs$29.08672

品番:
MUR20010CTR
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER. Rectifiers 100V 200A Super Fast Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR20010CTR 製品の属性

品番 : MUR20010CTR
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 100A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 50V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
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