Rohm Semiconductor - RGTH60TS65GC11

KEY Part #: K6422619

RGTH60TS65GC11 価格設定(USD) [28774個在庫]

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品番:
RGTH60TS65GC11
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 650V 58A 197W TO-247N.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGTH60TS65GC11 製品の属性

品番 : RGTH60TS65GC11
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : IGBT 650V 58A 197W TO-247N
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 58A
電流-パルスコレクター(Icm) : 120A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 30A
パワー-最大 : 197W
スイッチングエネルギー : -
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 58nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 27ns/105ns
試験条件 : 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : -
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247N

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