Infineon Technologies - FS150R17N3E4B11BOSA1

KEY Part #: K6534110

FS150R17N3E4B11BOSA1 価格設定(USD) [472個在庫]

  • 1 pcs$98.10253

品番:
FS150R17N3E4B11BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 650V 150A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS150R17N3E4B11BOSA1 製品の属性

品番 : FS150R17N3E4B11BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 650V 150A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 150A
パワー-最大 : 835W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.3V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 13.5nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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