Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8MTHE3/45

KEY Part #: K6445655

[2033個在庫]


    品番:
    NSB8MTHE3/45
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NSB8MTHE3/45 製品の属性

    品番 : NSB8MTHE3/45
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
    シリーズ : -
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
    電流-平均整流(Io) : 8A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 8A
    速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1000V
    静電容量@ Vr、F : 55pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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