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ON Semiconductor - FCPF190N60E

KEY Part #: K6397486

FCPF190N60E 価格設定（USD） [28864個在庫]

  • 1 pcs$1.42787
  • 1,000 pcs$0.60625
品番:
FCPF190N60E
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V TO-220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCPF190N60E electronic components. FCPF190N60E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCPF190N60E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF190N60E 製品の属性

品番 : FCPF190N60E
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V TO-220-3
シリーズ : SuperFET® II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 20.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3175pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 39W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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