ALD110908APAL 価格設定（USD） [17889個在庫]
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- 50 pcs$1.26692
- 品番:
- ALD110908APAL
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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ALD110908APAL 製品の属性
品番 :
ALD110908APAL
メーカー :
Advanced Linear Devices Inc.
説明 :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
シリーズ :
EPAD®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
10.6V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12mA, 3mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
500 Ohm @ 4.8V
Vgs（th）（最大）@ Id :
810mV @ 1µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2.5pF @ 5V
パワー-最大 :
500mW
動作温度 :
0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PDIP
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