Microsemi Corporation - 1N5802US

KEY Part #: K6440029

1N5802US 価格設定(USD) [8333個在庫]

  • 1 pcs$5.53078
  • 10 pcs$4.97683
  • 25 pcs$4.53427
  • 100 pcs$4.09199
  • 250 pcs$3.76019
  • 500 pcs$3.42841

品番:
1N5802US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5802US electronic components. 1N5802US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5802US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5802US 製品の属性

品番 : 1N5802US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 50V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 875mV @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 25ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : 25pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • MMBD1501A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • 1N4151W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 500mA 2ns

  • 1N4448W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

  • BAV21W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 200mA 50ns 1A IFSM

  • 1N4448W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns