STMicroelectronics - STGP10NB60SD

KEY Part #: K6424395

STGP10NB60SD 価格設定(USD) [9323個在庫]

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品番:
STGP10NB60SD
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
IGBT 600V 29A 80W TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGP10NB60SD 製品の属性

品番 : STGP10NB60SD
メーカー : STMicroelectronics
説明 : IGBT 600V 29A 80W TO220
シリーズ : PowerMESH™
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 29A
電流-パルスコレクター(Icm) : 80A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.75V @ 15V, 10A
パワー-最大 : 80W
スイッチングエネルギー : 600µJ (on), 5mJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 33nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 700ns/1.2µs
試験条件 : 480V, 10A, 1 kOhm, 15V
逆回復時間(trr) : 37ns
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB