RJK0652DPB-00#J5 価格設定（USD） [13343個在庫]
- 2,500 pcs$0.31128
- 品番:
- RJK0652DPB-00#J5
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Renesas Electronics America RJK0652DPB-00#J5 electronic components. RJK0652DPB-00#J5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK0652DPB-00#J5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJK0652DPB-00#J5 製品の属性
品番 :
RJK0652DPB-00#J5
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
35A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
29nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4100pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
55W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
LFPAK
パッケージ/ケース :
SC-100, SOT-669
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