説明 :
GANFET N-CH 600V 9A PQFN
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
350 mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
9.3nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
760pF @ 480V
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-PQFN (8x8)