CSD86356Q5D 価格設定（USD） [81265個在庫]
- 1 pcs$0.48115
- 品番:
- CSD86356Q5D
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- 25V POWERBLOCK N CH MOSFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD86356Q5D electronic components. CSD86356Q5D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD86356Q5D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD86356Q5D 製品の属性
品番 :
CSD86356Q5D
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
シリーズ :
NexFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
Logic Level Gate, 5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
40A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
パワー-最大 :
12W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-VSON-CLIP (5x6)
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