QS5U17TR 価格設定（USD） [424325個在庫]
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- 品番:
- QS5U17TR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor QS5U17TR electronic components. QS5U17TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QS5U17TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
QS5U17TR 製品の属性
品番 :
QS5U17TR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.9nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
175pF @ 10V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
900mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSMT5
パッケージ/ケース :
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
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