RXH125N03TB1 価格設定（USD） [202426個在庫]
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- 2,500 pcs$0.20099
- 品番:
- RXH125N03TB1
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RXH125N03TB1 electronic components. RXH125N03TB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RXH125N03TB1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RXH125N03TB1 製品の属性
品番 :
RXH125N03TB1
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12.7nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1000pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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