Toshiba Semiconductor and Storage - RN2305(TE85L,F)

KEY Part #: K6526611

RN2305(TE85L,F) 価格設定(USD) [311736個在庫]

  • 1 pcs$0.11865
  • 10 pcs$0.10678
  • 25 pcs$0.07704
  • 100 pcs$0.05988

品番:
RN2305(TE85L,F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2305(TE85L,F) electronic components. RN2305(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2305(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2305(TE85L,F) 製品の属性

品番 : RN2305(TE85L,F)
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
シリーズ : -
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
トランジスタータイプ : PNP - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 2.2 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA
頻度-遷移 : 200MHz
パワー-最大 : 100mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ : USM

あなたも興味があるかもしれません
  • FJN4301RBU

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • FJN4305RBU

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • FJN4306RBU

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • FJN4303RBU

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • FJN4307RBU

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • FJN4310RBU

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.