BAS20-E3-08 価格設定（USD） [3028543個在庫]
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- 品番:
- BAS20-E3-08
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 625mA 50ns
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS20-E3-08 electronic components. BAS20-E3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS20-E3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS20-E3-08 製品の属性
品番 :
BAS20-E3-08
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
150V
電流-平均整流（Io） :
200mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 200mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100nA @ 150V
静電容量@ Vr、F :
5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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