IRF2805SPBF 価格設定（USD） [13553個在庫]
- 1,000 pcs$0.60078
- 品番:
- IRF2805SPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF2805SPBF electronic components. IRF2805SPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF2805SPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF2805SPBF 製品の属性
品番 :
IRF2805SPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
135A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.7 mOhm @ 104A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
230nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5110pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
200W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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