IPP65R150CFDXKSA1 価格設定（USD） [22921個在庫]
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- 1,000 pcs$0.78218
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPP65R150CFDXKSA1 electronic components. IPP65R150CFDXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP65R150CFDXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP65R150CFDXKSA1 製品の属性
品番 :
IPP65R150CFDXKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
22.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
150 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 900µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2340pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
195.3W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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