FDM15-06KC5 価格設定（USD） [13299個在庫]
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- 25 pcs$3.40873
- 品番:
- FDM15-06KC5
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS FDM15-06KC5 electronic components. FDM15-06KC5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDM15-06KC5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDM15-06KC5 製品の属性
品番 :
FDM15-06KC5
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
15A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 790µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2000pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS i4-PAC™
パッケージ/ケース :
ISOPLUSi5-Pak™
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