ON Semiconductor - FGPF10N60UNDF

KEY Part #: K6423090

FGPF10N60UNDF 価格設定(USD) [44322個在庫]

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品番:
FGPF10N60UNDF
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 600V 20A 42W TO-220F.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGPF10N60UNDF 製品の属性

品番 : FGPF10N60UNDF
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 600V 20A 42W TO-220F
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 20A
電流-パルスコレクター(Icm) : 30A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.45V @ 15V, 10A
パワー-最大 : 42W
スイッチングエネルギー : 150µJ (on), 50µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 37nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 8ns/52.2ns
試験条件 : 400V, 10A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 37.7ns
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F

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