SIZ322DT-T1-GE3 価格設定（USD） [252514個在庫]
- 1 pcs$0.14648
- 品番:
- SIZ322DT-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ322DT-T1-GE3 electronic components. SIZ322DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ322DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ322DT-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIZ322DT-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
シリーズ :
TrenchFET® Gen IV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20.1nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
950pF @ 12.5V
パワー-最大 :
16.7W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-Power33 (3x3)
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