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- 品番:
- SI8435DB-T1-E1
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8435DB-T1-E1 electronic components. SI8435DB-T1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8435DB-T1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8435DB-T1-E1 製品の属性
品番 :
SI8435DB-T1-E1
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
41 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 5V
Vgs（最大） :
±5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1600pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-Microfoot
パッケージ/ケース :
4-XFBGA, CSPBGA
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